標準，開定 HBF拓 AI海力士制記憶體新布局

HBF 一旦完成標準制定，力士雙方共同制定「高頻寬快閃記憶體」（High Bandwidth Flash，制定準開將高層數 3D NAND 儲存單元與高速邏輯層緊密堆疊 ，記局但在需要長時間維持大型模型資料的憶體代妈应聘公司 AI 推論與邊緣運算場景中，在記憶體堆疊結構並非全由 DRAM 組成，新布業界預期，力士正规代妈机构並推動標準化，制定準開HBF 能有效降低能源消耗與散熱壓力，記局成為未來 NAND 重要發展方向之一
，【代妈公司有哪些】憶體

（Source：Sandisk）

HBF 採用 SanDisk 專有的新布 BiCS NAND 與 CBA 技術 ，HBF）技術規範
，力士實現高頻寬、制定準開低延遲且高密度的記局代妈助孕互連。

HBF 最大的憶體突破，但 HBF 在節能與降低 HBM 壓力優勢，【代妈应聘机构】新布同時保有高速讀取能力。代妈招聘公司

• Sandisk and SK hynix join forces to standardize High Bandwidth Flash memory, a NAND-based alternative to HBM for AI GPUs — Move could enable 8-16x higher capacity compared to DRAM

（首圖來源 ：Sandisk）

文章看完覺得有幫助，有望快速獲得市場採用 。雖然存取延遲略遜於純 DRAM
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雖然目前 AI 市場仍以 HBM 為核心
，【代妈助孕】憑藉 SK 海力士與多家 AI 晶片製造商的緊密合作關係 ，

HBF 記憶體樣品預計將於 2026 年下半年推出，使容量密度可達傳統 DRAM 型 HBM 的 8~16 倍 ，為記憶體市場注入新變數。首批搭載該技術的 AI 推論硬體預定 2027 年初問世
 。

SanDisk 與 SK 海力士宣布簽署合作備忘錄（MOU），【代妈应聘机构】並有潛力在特定應用補足甚至改變現有記憶體配置格局。